NTMFS4C55N_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTMFS4C55N 型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装设计，具备优秀的散热性能和小型化特点，专为现代高密度电子设备打造。器件额定电压VDSS为30V，能承受高达150A的连续电流ID，展现强大的电力处理能力。其2mR的超低导通电阻显著提升了系统能效，减少了功率损耗。
