FDN5632N-F085_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/4.5A 参数4：RDON/70.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDN5632N-F085 型号MOS管，采用小型化SOT-23-3L封装设计，特别适应于紧凑空间内的集成应用。这款N沟道MOSFET提供60V的高额定电压及4.5A的稳定漏极电流，可满足多种高电压、大电流场景需求。同时，其导通电阻仅为70mΩ，有助于优化能源效率，降低系统损耗。适用于电源转换、负载开关、电机驱动等广泛领域，是精简且高效的半导体解决方案。
