Si2308BDS-T1-GE3_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/4.5A 参数4：RDON/70.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
Si2308BDS-T1-GE3 型号MOS管，采用小巧的SOT-23-3L封装，适应各类微小空间内集成应用。这款高性能N沟道MOSFET支持高达60V的工作电压，并能在稳定状态下承载4.5A的漏极电流，确保在多种高压大电流条件下可靠运行。其导通电阻低至70mΩ，有效提高了能源转化效率并减少了系统内部能耗。广泛运用于电源管理、马达驱动、负载切换等多种场景，是打造高效节能电子设备的关键组件。
