SSM3J334R_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/42.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
型号SSM3J334R 的P沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为现代微小化电子设备设计。器件具有优良电气性能，额定电压VDSS高达30V，连续电流ID容量可达4.1A，满足中大电流应用需求。其导通电阻RD(on)仅为42mR，有助于降低功耗并提高系统能效。广泛应用于电源管理、负载切换、逻辑电平转换等领域，是工程师在设计高效率、低能耗电路时的理想选择。
