SSM3J358R_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/7.0A 参数4：RDON/20.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
型号SSM3J358R 的P沟道MOS管，采用小型SOT-23-3L封装，适用于各类空间受限的电子设计。器件具备优越的电气性能，最高工作电压VDSS为20V，持续电流ID高达7A，特别适合高电流应用场合。其导通电阻RD(on)仅为20mR，有效减少功率损耗，提升系统效能。广泛应用于电源管理、负载切换以及其他需精准电流控制的领域，是工程师优选的高效率、低阻抗半导体元件。
