RRR030P03_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.2A 参数4：RDON/45.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
RRR030P03 是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高效率和小型化电子设备设计。器件提供高达30V的漏源电压(VDSS)，可稳定处理4.2A的连续漏极电流(ID)，并且拥有45mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了卓越的电能转换效率和低功耗表现。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护电路等领域，是实现节能、紧凑型电子解决方案的理想半导体组件。
