BSR802N_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/18.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSR802N N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高功率密度和高效能电路设计。器件具有20V的漏源电压(VDSS)，并能在低至18mR的导通电阻(RD(on))下，支持高达6A的连续漏极电流(ID)。这款MOS管适用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动等场景，凭借其出色的电流处理能力和高效能表现，成为优化系统性能的理想选择。
