FDN028N20_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/18.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDN028N20 N沟道MOSFET采用小型化SOT-23-3L封装，专为现代高密度电子设计。器件提供20V的漏源电压(VDSS)，在18mR的低导通电阻(RD(on))下，可承载高达6A的漏极电流(ID)。此款MOS管适用于开关电源转换、电机驱动、以及其他高电流应用场合，凭借其卓越的电流承载能力和优良能效表现，是您提升系统性能、降低能耗的理想选择。
