ST2300_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/18.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ST2300 N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高效率和小型化电路设计。该器件具有20V的漏源电压(VDSS)，在18mR的超低导通电阻(RD(on))条件下，可承载最大6A的漏极电流(ID)。适用于开关电源转换、电机驱动、负载开关等应用领域，ST2300 凭借其强大的电流处理能力和优秀的能效表现，成为您优化系统性能的理想半导体元件。
