SM2312SRL_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/18.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SM2312SRL N沟道MOSFET采用小巧的SOT-23-3L封装，专为高效、紧凑型电路设计。器件具备20V的漏源电压(VDSS)，能在18mR的低导通电阻(RD(on))下，稳定输出高达6A的漏极电流(ID)。适用于开关电源、电机驱动、高频开关电路等应用，该MOS管以其卓越的电流承载能力和优良的能效表现，成为优化系统性能、减小能耗的理想半导体组件。
