SSM3K345R_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/18.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SSM3K345R N沟道MOSFET采用小型化SOT-23-3L封装，为高效、紧凑型电子设计提供理想解决方案。该器件具有20V的漏源电压(VDSS)，能在18mR的超低导通电阻(RD(on))下，支持高达6A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景，凭借其出色的电流处理能力和能效表现，成为提升系统性能和节能效率的理想半导体元件。
