FDN339AN_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/18.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDN339AN 是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23-3L封装，专为高效能电子设计。该器件拥有20V的漏源电压(VDSS)，能在仅18mR的导通电阻(RD(on))下，轻松承载高达6A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源转换、电机驱动、快速开关电路等领域，凭借其卓越的电流承载能力和优异的能效性能，成为您优化系统设计，提升整体效能的理想半导体元件。
