FDN8601_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDN8601 N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23-3L封装形式，专为高功率密度设计。该器件特性优良，支持高达100V的工作电压VDSS，连续电流能力达到5A，并具有竞争力的100mR导通电阻，以实现高效能和低热耗损。广泛应用于电源开关、电机驱动、电池管理系统等场合，凭借其卓越的性能与可靠性，是您优化电路设计、提升系统效能的理想选择。
