Si2328DS-T1-GE3_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/5.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si2328DS-T1-GE3 N沟道MOSFET，采用经济高效的SOT-23-3L封装，专为要求严苛的电力应用设计。器件具备强大性能，最高工作电压VDSS达100V，连续电流承载能力高达5A，同时具有出色的100mR导通电阻，确保在高功率运行下也能保持低能耗。此款MOS管广泛应用在电源管理、马达驱动、逆变器等领域，是众多工程师设计解决方案的首选组件。
