AOSS21319C_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/42.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOSS21319C 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23-3L封装，适合空间有限的电路板设计。器件参数出众，最大漏源电压VDSS为30V，可支持4.1A的连续漏极电流ID，其导通电阻RD(on)仅为42mR，有效确保了在开关应用中的低功耗和高效能。广泛应用于电源管理、负载开关电路、电池保护系统以及各类便携式电子设备的低电压、中等电流控制场景。
