FDN306P_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/34.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDN306P P沟道MOS管采用小型化的SOT-23-3L封装，专为高效率、低阻抗电路设计。器件亮点在于强大的电气规格，最大工作电压VDSS为20V，连续电流承载能力高达4.1A，且拥有超低导通电阻RD(on)仅为34mR，实现了卓越的电能转化效率与快速响应速度。广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等应用环境，FDN306P 凭借其出色的性能表现与稳定质量，成为众多电子设计工程师的理想之选。
