AO3419_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/34.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AO3419 P沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23-3L封装，适用于高集成度电路设计。该器件具有卓越的电气性能，最大工作电压VDSS为20V，连续电流ID可达4.1A，且拥有极低的导通电阻RD(on)，仅为34mR，大大提高了系统能效并减小功耗。广泛应用于电源开关控制、电池保护、负载驱动等方面，以其出色的稳定性和高效能，成为您电子设计工程的理想组件选择。
