RTR025P02FRA_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/4.1A 参数4：RDON/34.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
RTR025P02FRA 是一款P沟道MOSFET，采用微型SOT-23-3L封装，适用于空间受限和高集成度的电路设计。器件特性包括最大漏源电压(VDSS)为20V，可稳定提供4.1A的漏极电流(ID)，且导通电阻(RD(on))低至34mR，确保在低电压应用环境下也能实现高效能和低功耗。这款MOS管广泛应用于电源转换、负载开关控制、低压电子设备中，是优化系统性能的理想半导体元件。
