AOSS32136C_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.5A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOSS32136C N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高集成度电路设计。该器件额定电压为20V（VDSS），能承载高达6.5A的连续漏极电流（ID），体现强大的电流处理性能。其卓越的14mR导通电阻（RD(on)）确保在大电流运行时依然保持低功耗和高效率。适用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高电流处理能力且注重能效的电子系统中。
