SSM3K333R_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/5.8A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
型号SSM3K333R 的N沟道MOS管采用紧凑轻巧的SOT-23-3L封装，专为现代电子产品的小型化设计需求打造。该器件具有优越的电气性能，最高工作电压VDSS为30V，连续电流ID高达5.8A，确保在大电流环境下稳定可靠运作。导通电阻RD(on)仅为22mR，显著减少功率损耗，提升系统能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关等领域，是工程师追求高效率、低能耗的理想半导体组件选择。
