IRF100S201_TO-263_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：800圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/260.0A 参数4：RDON/2.4mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRF100S201 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-263封装，专为大电流、高效率应用设计。器件能在100V电压下稳定工作，并支持高达260A的连续电流，尤其适用于大型电源系统、设备开关和电源转换。其卓越的导通电阻仅为2.4mΩ，有效降低功耗，大幅提升系统能效。IRF100S201 MOS管是您实现强大电力传输和节能环保的理想选择。
