IPP200N15N3G_TO-220_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50管 参数1：N沟道 参数2：VDSS/150.0V 参数3：ID/120.0A 参数4：RDON/9.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IPP200N15N3G 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典的TO-220封装，适用于高功率电子设备。其关键特性包括最大漏源电压VDSS高达150V，能承载强劲的120A连续漏极电流，而导通电阻RD(on)仅为9.5mR，确保在大电流操作时也能保持极低的功率损耗和高效能表现。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等高电流开关应用领域。
