Si3932DV_SOT-23-6L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-6L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.5A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si3932DV 是一款高性能NN沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23-6L封装，专为现代紧凑型电子设备设计。该器件可在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定工作，提供4.5A的连续漏极电流(ID)，并拥有低至29mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在高电流应用中实现高效能和低功耗。广泛应用于电源转换、负载开关、逻辑电平转换等电路设计中，是实现小型化、节能方案的理想半导体组件。
