DMG9926UDM_SOT-23-6L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-6L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/22.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMG9926UDM 是一款NN沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23-6L封装，专为高效率、小尺寸电路设计。器件提供20V的漏源电压(VDSS)，每通道在22mR的导通电阻(RD(on))下，可分别承载高达6A的漏极电流(ID)。广泛应用于DC-DC转换器、多路负载开关、电源管理等领域，凭借其出色的电流处理能力和双通道设计，极大地提升了系统性能和集成度。
