DMG6968UDM_SOT-23-6L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-6L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/7.0A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMG6968UDM NN沟道MOSFET采用经济高效的SOT-23-6L封装，适合现代高密度电子设计。该器件支持最大工作电压20V（VDSS），并能稳定处理高达7A的连续漏极电流（ID），在同类产品中表现出卓越的电流承载能力。其出众的导通电阻仅为14mR（RD(on)），有效降低功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源管理、电机驱动、以及多种高电流、低阻抗需求的场合。
