AON1606_DFN1006-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/0.7A 参数4：RDON/220.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AON1606 是一款N沟道MOSFET，采用微型DFN1006-3L封装，专为紧凑型和低功耗电子设备设计。其电气特性包括最大漏源电压VDSS为20V，可稳定承载0.7A的漏极电流ID，且导通电阻RD(on)仅为220mR，确保在低电流应用中仍能保持良好的效率表现。这款MOS管被广泛应用于电源管理、信号切换、电池保护电路以及各种便携式和移动设备的低电压、低电流开关控制中。
