AON1605_DFN1006-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/0.8A 参数4：RDON/350.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AON1605 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN1006-3L封装，适用于空间敏感和低功耗应用。器件提供20V的漏源电压VDSS，最大可处理0.8A的连续漏极电流ID，尤其适合用于电源开关、负载驱动等场合。其350mR的导通电阻RD(on)在同类型器件中表现出较好的能效水平，广泛应用于移动设备、消费类电子产品及各类便携式设备的电源管理和逻辑控制功能。
