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产品型号
制造商
产品种类
封装
通道数量
晶体管极性
最小工作温度
CSD19505KCS
TI
MOSFET
TO-220-3
1Channel
N-Channel
-55℃
+175℃
Qg-栅极电荷
Rds On-漏源导通电阻
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Vgs-栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Pd-功率耗散
76nC
3.1mOhms
100A
80V
-20V,+20V
2.6V
300W
