原装BSS123LT1G 5G及无线设备、消费电子及可穿戴设备、计算和数据存储、工业
品牌：ON 标价：查价格下单www.jbchip.com
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产品介绍
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 100 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 100mA，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 1mA | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 225mW（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
