DB107S_DBS_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DBS 类别：整流桥 最小包装：1500圆盘 参数1：正向压降(Vf): 1.1V@1A 参数2：直流反向耐压(Vr): 1kV 参数3：平均整流电流(Io): 1A 参数4：反向电流(Ir): 10uA@1kV 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
描述: 这款DBS封装的整流桥器件，专为高效低耗电源转换应用打造。具备1000V的高反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全稳定运行。其独特优势在于1A电流下正向压降VF仅为1.1V，有效减少功耗并提升系统能效表现。此外，该器件支持最大连续输出电流1A（IO），提供卓越的低电流处理能力及稳定性。适用于各类小型化、高效率且需处理中等电压的应用场景，是您电路设计的理想选择，助力实现紧凑与性能兼备的电源解决方案。
