DB207S_DBS_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DBS 类别：整流桥 最小包装：1500圆盘 参数1：正向压降(Vf): 1.1V@1.5A 参数2：直流反向耐压(Vr): 1kV 参数3：平均整流电流(Io): 2A 参数4：反向电流(Ir): 5uA@1kV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 本款高性能整流桥采用先进的DBS封装技术，专为高效率、高稳定性的电路设计。其额定电压高达VR1000V，确保在严苛条件下稳定工作。在1.5A的工作电流下，正向压降仅为VF1.1V，有效降低功耗，提升系统能效。此外，拥有2A的输出电流能力（IO: 2A），充分满足大电流应用需求，是各类电源转换、逆变器等电子设备的理想选择。这款半导体器件以卓越性能与高效节能，助力您的设备运行更顺畅，表现更出色。
