DB157S_DBS_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DBS 类别：整流桥 最小包装：1500圆盘 参数1：正向压降(Vf): 1.1V@1A 参数2：直流反向耐压(Vr): 1kV 参数3：平均整流电流(Io): 1.5A 参数4：正向浪涌电流(Ifsm): 60A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款DBS封装整流桥器件，针对高效低耗电源转换需求设计。具有高达1000V的反向电压额定值（VR），确保在高压条件下持久稳定运行。其关键特性在于，在1A电流下正向压降VF低至1.1V，有效优化系统能效并减少功耗。同时，器件具备出色的电流处理能力，最大连续输出电流可达1.5A（IO），适合中等电流应用场合。凭借精巧的DBS封装与卓越性能表现，本款整流桥成为电路设计的理想选择，助您实现高性价比且可靠的电源转换方案。
