HESDNC5VB1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:DFN1006-2L 类别:静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装:10000圆盘 参数1:Bi双向 参数2:电压VRWM/5.0V 参数3:电流IPP/9.0A 参数4:电容Cj/15.0pF 标价:欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统设计,提供单通道高效防护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力,能有效吸收和抑制双向瞬态ESD事件,保护电路不受损坏。结电容低至15pF,确保在高速数据接口应用中保持卓越信号完整性,是现代电子设备防止静电干扰的理想解决方案。