HESDUC5VB1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000圆盘 参数1：Bi双向 参数2：电压VRWM/5.0V 参数3：电流IPP/4.0A 参数4：电容Cj/0.35pF 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道高效防静电保护。器件能承受4A峰值脉冲电流IPP，有效抑制双向瞬态ESD事件，确保电路安全。其超低结电容0.35pF设计尤为适合高速数据接口应用，保障信号完整性的同时实现卓越的ESD防护性能。
