LESD8D12CT5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000圆盘 参数1：Bi双向 参数2：电压VRWM/12.0V 参数3：电流IPP/8.0A 参数4：电容Cj/8.0pF 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为12V系统提供高级别的单通道保护。具备高达8A的峰值脉冲电流IPP能力，有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击，确保电子设备免受静电损害。8pF低结电容设计有助于保持高速信号线路传输质量，是现代高性能接口及便携式电子设备的理想ESD防护解决方案。
