UAD8C05L01-HXY_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000圆盘 参数1：Bi双向 参数2：电压VRWM/5.0V 参数3：电流IPP/4.0A 参数4：电容Cj/0.35pF 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款DFN1006-2L封装的高性能双向ESD静电防护二极管专为5V系统设计，采用先进的1通道结构，拥有超低电容0.35pF，确保高速信号无损传输。器件具备卓越的瞬态抑制能力，峰值脉冲电流IPP高达4A，有效抵御双向静电放电冲击，保护敏感电子设备免受ESD损害，是高速接口和紧凑型电路的理想防护选择。
