DMN26D0UFB4-7-HXY_DFN1006-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：10000圆盘 参数1：N沟道 参数2：电压VDS/20V 参数3：电流ID/0.7A 参数4：内阻R/350mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用超微型DFN1006-3L封装，额定电压20V，最大连续电流0.7A。专为低功耗、紧凑型电路设计，适用于小型电源转换、信号切换及电池保护应用，提供卓越的能效和空间利用率。
