GBJ2510_GBJ_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:GBJ 类别:整流桥 最小包装:250盒 参数1:正向压降(Vf): 1.05V@12.5A 参数2:直流反向耐压(Vr): 1kV 参数3:平均整流电流(Io): 25A 参数4:正向浪涌电流(Ifsm): 350A 标价:欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款GBJ封装整流桥器件,针对高功率、大电流应用进行了优化设计。拥有高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下稳定可靠工作。其亮点在于,在12.5A连续电流下,正向压降VF低至1.05V,有助于提高电源转换效率并降低能耗。此外,该器件具备强大的电流处理能力,最大连续输出电流可达25A(IO),适应各类严苛的应用环境。这款整流桥是高性能、高稳定性电路设计的理想选择,助力您实现高效、安全的大电流电源转换。