GBJ3510_GBJ_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：GBJ 类别：整流桥 最小包装：250盒 参数1：正向压降(Vf): 1.05V@12.5A 参数2：直流反向耐压(Vr): 1kV 参数3：平均整流电流(Io): 30A 参数4：正向浪涌电流(Ifsm): 350A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款GBJ封装的高性能整流桥，专为高功率、大电流应用场合打造。具备1000V的卓越反向电压额定值（VR），确保在高压环境下稳定运行。其特色在于，在12.5A工作电流下正向压降VF低至1.05V，有效提升电源转换效率并降低功耗。更值得关注的是，器件拥有强大的瞬态峰值电流承载能力高达30A（IO），确保在极端条件下仍能提供卓越的性能表现。适用于各类需要处理极高电流强度及高电压的电路设计，是您构建高效、可靠电源系统的理想选择。
