GBL610_GBL_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：GBL 类别：整流桥 最小包装：500盒 参数1：正向压降(Vf): 1.1V@3A 参数2：直流反向耐压(Vr): 1kV 参数3：平均整流电流(Io): 6A 参数4：正向浪涌电流(Ifsm): 175A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款GBL封装整流桥器件，专为高效率电源转换应用设计。具有1000V的高强度反向电压额定值（VR），确保在严苛高压环境下稳定工作。其特性在于3A电流下的正向压降VF仅为1.1V，有效减少能耗并提升系统性能表现。器件具备出色的电流处理能力，最大连续输出电流可达6A（IO），确保在中等至大电流应用场合下持续高效运作。适用于各类要求高电压、高可靠性的电路设计，是您实现优质电源转换的理想选择。
