GBL810_GBL_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：GBL 类别：整流桥 最小包装：500盒 参数1：正向压降(Vf): 1.1V@3A 参数2：直流反向耐压(Vr): 1kV 参数3：平均整流电流(Io): 8A 参数4：正向浪涌电流(Ifsm): 175A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款GBL封装整流桥器件，专为高效能电源转换应用打造。其具备高达1000V的反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全稳定运行。在3A工作电流下，正向压降VF低至1.1V，有效减少功率损耗并提升整体系统效能。此外，该器件的最大连续输出电流可达8A（IO），展现出卓越的电流承载能力，尤其适用于需要处理中高电流强度及高电压环境的电路设计。这款整流桥凭借其高性能与高可靠性，成为您实现理想电源转换方案的理想之选。
