GBU2510_GBU_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：GBU 类别：整流桥 最小包装：500盒 参数1：正向压降(Vf): 1.05V@10A 参数2：直流反向耐压(Vr): 1kV 参数3：平均整流电流(Io): 25A 参数4：正向浪涌电流(Ifsm): 220A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款GBU封装整流桥，是一款专为高功率、高效率应用设计的顶级整流器件。具备1000V的高强度反向电压额定值（VR），在10A电流下，正向压降VF低至1.05V，有效减少能量损耗并提升系统效能。尤其值得关注的是其强大的瞬态峰值电流能力高达25A（IO），确保了在极端条件下仍能保持稳定工作。适用于各类需处理高电压、大电流场景的电路设计，是您构建高性能系统的理想选择。
