GBU1010_GBU_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：GBU 类别：整流桥 最小包装：500盒 参数1：正向压降(Vf): 1.05V@10A 参数2：直流反向耐压(Vr): 1kV 参数3：平均整流电流(Io): 10A 参数4：正向浪涌电流(Ifsm): 220A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
描述: 这款GBU封装的整流桥器件，专为高电压、大电流应用场合设计。拥有1000V的高反向电压额定值（VR），确保在高压环境下稳定工作。其正向压降VF在10A电流下低至1.05V，有效降低功耗并提升电源转换效率。此外，器件具备出色的电流处理能力，最大连续输出电流可达10A（IO），保证了设备运行时的高效与可靠性。此款整流桥是各类高要求电路设计的理想选择，助您轻松应对复杂电源转换挑战。
