GBU606_GBU_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：GBU 类别：整流桥 最小包装：500盒 参数1：正向压降(Vf): 1.05V@6A 参数2：直流反向耐压(Vr): 600V 参数3：平均整流电流(Io): 6A 参数4：正向浪涌电流(Ifsm): 220A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款GBU封装的高性能整流桥半导体器件，专为大电流、高效能应用打造。其关键特性包括VR耐压高达600V，确保在常规电压范围内稳定运行；VF值低至1.05V@6A，即使在满载电流6A时也能实现超低压降，显著提升电源转换效率和节能效果；额定输出电流IO为6A，提供强劲而稳定的电流处理能力。广泛应用于各类中高端电源系统、逆变器及其他大电流电子设备中，是优化系统性能与可靠性的理想之选。
