GBU406_GBU_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：GBU 类别：整流桥 最小包装：500盒 参数1：正向压降(Vf): 1.1V@4A 参数2：直流反向耐压(Vr): 600V 参数3：平均整流电流(Io): 4A 参数4：正向浪涌电流(Ifsm): 150A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款采用GBU封装的高性能整流桥器件，专为高效能、低损耗应用设计。其核心参数包括VR最高耐压600V，确保在常规电压环境下稳定可靠工作；VF表现优异，仅为1.1V@4A，在4A电流下仍维持较低的电压降，有效提升电源转换效率与节能效果；额定输出电流IO达到4A，提供稳定强大的电流处理能力。广泛应用于各类中高端电源系统、逆变器及电子设备中，助力提升整体性能和稳定性。
