GBU808_GBU_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：GBU 类别：整流桥 最小包装：500盒 参数1：正向压降(Vf): 1.1V@8A 参数2：直流反向耐压(Vr): 800V 参数3：平均整流电流(Io): 8A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
描述: 这款GBU封装的整流桥器件，专为高效能电子系统设计。其卓越性能体现在800V的直流反向耐压及8A的平均整流电流，确保在高电压大电流环境下稳定工作。正向压降低至1.1V@8A，有效降低功耗，提升系统效率。而反向电流仅为5uA@800V，展现出出色的阻断性能，适用于各类需要高品质半导体器件的应用场景。
