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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BYK0 DDR3 适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度0° ~ 85 C° 96FBGA封装
价格:电微咨询13928429281
三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BMMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度-40~+95° 96FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BMK0 DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度-40~+95° 96FBGA封装
价格:电微咨询13928429281
三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BHMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作电压1.35V 温度-40~+105° 96FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BFMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作电压1.35V 温度-40~+95° 96FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BCNB DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率2133Mbps 工作电压1.5V 温度0~+85 96FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BCMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作电压1.5V 温度0~+85 96FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BCK0 DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.5V 温度0~+85 96FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G0846I-BYMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度0~+85 78FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G0846I-BYK0 DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度0~+85 78FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G0846I-BMMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度-40~+95 78FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G0846I-BMK0 DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度-40~+95 78FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G0846I-BCK0 DDR3适合众多计算环境 容量4Gb 速率1600Mbps 工作电压1.5V 温度0~+85 78FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G0846I-BYNB DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率2133Mbps 工作电压1.35V 温度0~+85 78FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B4G1646E-YCMA DDR3适合众多计算环境 容量4Gb 速率1866Mbps 工作电压1.35V 温度0~+85 96FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G1646F-BYNB DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率2133Mbps 工作电压1.35V 温度0~+85 96FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BYNB DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率2133Mbps 温度0~+85 96FBGA封装
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SAMSUNG/三星内存芯片K3KL8L80CM-MGCT 优质低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量32Gb 速率7500Mbps 温度-25~+85 315FBGA封装
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SAMSUNG/三星内存芯片K3KL5L50CM-MGCT 优质低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量128Gb 速率7500Mbps 温度-25~+85 315FBGA封装
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SAMSUNG/三星内存芯片K3KL5L50CM-BGCT 优质低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量128Gb 速率7500Mbps 温度-25~+85 496FBGA封装
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