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集成电路
三星M386A8K40BM2-CTD 低负载双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 64GB 4R x4 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 288FBGA
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三星M386A8K40BM1-CRC低负载双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器64GB 4R x4 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 288FBGA
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三星M386A4K40BB0-CRC低负载双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器64GB 4R x4 LPDDR4 2133Mbps 1.2 V 288FBGA
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三星M386A4K40BB0-CRC低负载双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器32GB 2R x4 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 288FBGA
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三星M474A1K43BB1-CTD 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 8GB 1R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M471A5244CB0-CTD 无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 4GB 1R x16 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M471A5244CB0-CRC 无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 4GB 1R x16 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M471A5244CB0-CPB 无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 4GB 1R x16 LPDDR4 2133Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M471A1K43CB1-CPB 无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 16GB 2R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M471A2K43CB1-CRC 无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 16GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M471A1K43CB1-CTD 无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 8GB 1R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M471A1K43CB1-CRC 无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 8GB 1R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA
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三星M391A2K43BB1-CTD带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块16GB 2R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 288FBGA
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三星M378A5244CB0-CRC 无缓冲双列直插式存储模块 无缓冲区和寄存器:延迟值更小 4GB 1R x16 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 288FBGA
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