三星M386A8K40DM2-CWE低负载双列直插式存储模块64GB 4R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M386A8K40DM2-CVF低负载双列直插式存储模块64GB 4R x 4 2933 Mbps 1.2 V 288FBGA

M386A8K40DM2-CTD低负载双列直插式存储模块64GB 4R x 4 2666 Mbps 1.2 V 288FBGA

M474A4G43AB1-CVF带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块32GB 2R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A2K43DB1-CVF带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块16GB 2R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A2K43DB1-CTD带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块16GB 2R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A1K43DB1-CVF带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块8GB 1R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A1K43DB1-CTD带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块8GB 1R x8 2666 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A1G43EB1-CRC带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块8GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 260FBGA

M474A1G43EB1-CPB带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块8GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260FBGA

M393A4K40DB3-CWE带存储器的双列直插式存储模块32GB 2R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M393A2K43DB3-CWE带存储器的双列直插式存储模块16GB 2R x8 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M393A2K40DB3-CWE带存储器的双列直插式存储模块16GB 1R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M393A1K43DB2-CWE带存储器的双列直插式存储模块8GB 1R x 8 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M386ABG40M51-CAE低负载双列直插式存储模块256GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M386AAG40AM3-CWE低负载双列直插式存储模块128GB 4R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA

M393ABG40M52-CAE带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 通过添加 8 位奇偶校验信号，实现错误纠正

M393AAG40M32-CAE带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 通过添加 8 位奇偶校验信号，实现错误纠正 支持 x4/x8 组织/每个 DIMM 和 3DPC 配置最高 2 个级别

M471A5244CB0-CWE无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 支持 x8/x16/每个 DIMM 和 2DPC 配置最高 2 个级别 适用于存在空间受限问题的系统

M471A4G43AB1-CWE无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 适用于存在空间受限问题的系统

M471A2K43EB1-CTD无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 支持 x8/x16/每个 DIMM 和 2DPC 配置最高 2 个级别 适用于存在空间受限问题的系统

M471A2K43DB1-CWE无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 支持 x8/x16/每个 DIMM 和 2DPC 配置最高 2 个级别 适用于存在空间受限问题的系统

M471A1K43EB1-CTD无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小8GB 1R x 8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA

M471A1K43DB1-CWE无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小8GB 1R x 8 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 260FBGA

M378A2K43DB1-CVF无缓冲双列直插式存储模块 无缓冲区和寄存器：延迟值更小16GB 2R x 8 LPDDR4 2933Mbps 1.2 V 288FBGA