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我国氧化镓外延生长技术取得重大突破，第四代半导体渐行渐近
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氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争
氮化镓、氧化镓量产最大难点竟是“生长”过程，国产“助长”技术已有突破
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体
全方位对比分析，为什么氧化镓才是迄今为止最好的芯片材料？
第四代半导体再突破，我国团队在 8 英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”
第四代半导体虽潜力股众多，但氧化镓却是“天赋型”选手，将与碳化硅同争辉
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